Асеев Александр Леонидович

Российский ученый, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006), председатель Сибирского отделения РАН (с 2008 года), директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1998 – 2013). Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Родился 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ. В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 году – докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

С 1998 года по 25 апреля 2013 года являлся директором Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности. Под руководством Александра Леонидовича в Институте создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. Выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии.

Асеевым А.Л. с сотрудниками разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Александр Леонидович ведет работы по созданию нанотранзисторов; по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии.

Награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008)
Почётный профессор Бурятского государственного университета (2010).